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　　隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)有半導(dǎo)體材料已經(jīng)經(jīng)過了三個(gè)發(fā)展階段，第三代半導(dǎo)體展現(xiàn)出了高壓、高頻、高速、低阻的優(yōu)點(diǎn)，其擊穿電壓，在在某些應(yīng)用中可高到1200-1700V。這些特點(diǎn)帶來如下新特性：

　　極低的內(nèi)部電阻，與同類硅器件相比，效率可提高70%

　　低電阻可改善熱性能(最高工作溫度增加了)和散熱，并可獲得更高的功率密度

　　散熱得到優(yōu)化，與硅器件相比，就可采用更簡(jiǎn)單的封裝、尺寸和重量也大大減少

　　極短的關(guān)斷時(shí)間(GaN器件接近于零)，能工作于很高的開關(guān)頻率，工作溫度也更低

　　這些特性，在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的應(yīng)用最為廣泛。

　　因此，在第三代半導(dǎo)體高速發(fā)展的同時(shí)，測(cè)量技術(shù)也面臨全面升級(jí)，特別是高電壓、大電流、高頻率測(cè)試，以及電容特性（CV）特性。

　　現(xiàn)今，市場(chǎng)上功率器件CV特性測(cè)試儀器，普遍存在下列痛點(diǎn)：

　　1.進(jìn)口設(shè)備

　　進(jìn)口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測(cè)試準(zhǔn)確，但是有如下缺點(diǎn)：

　　a)價(jià)格昂貴，動(dòng)則幾十萬甚至上百萬的價(jià)格，一般企業(yè)很難承受。

　　b)操作繁瑣，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，對(duì)于用戶操作并不友好。

　　c)測(cè)試效率低，一臺(tái)設(shè)備可能完成動(dòng)態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測(cè)試，但是接線負(fù)責(zé)、操作難度大，測(cè)試結(jié)果用時(shí)較長(zhǎng)，測(cè)試效率無法保障。

　　2.國(guó)產(chǎn)設(shè)備

　　在進(jìn)口設(shè)備無法滿足用戶測(cè)試需求的情況下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生，以相對(duì)功能單一、操作方便、價(jià)格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場(chǎng)，但是，這些設(shè)備同樣也有如下缺點(diǎn)：

　　a）體積龐大，大多數(shù)國(guó)產(chǎn)設(shè)備，由于沒有專業(yè)的電容測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，通常是用幾臺(tái)電源、一臺(tái)LCR、工控機(jī)或者PLC、機(jī)箱、測(cè)試工裝等組合而成，因此體積過大，無法適用于自動(dòng)化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。

　　b）漏源電壓VDS過低，大多最高只能達(dá)到1200V左右，已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試需求。

　　c）測(cè)量精度低，由于缺乏專業(yè)電容測(cè)量經(jīng)驗(yàn)，加上過多的轉(zhuǎn)接，導(dǎo)致電容特別是pF級(jí)別的小電容無法達(dá)到合適的測(cè)量精度。

　　d）測(cè)試效率低，同樣由于組合儀器過多，加上需用工控機(jī)或PLC控制過多儀器，導(dǎo)致測(cè)試單個(gè)器件時(shí)間過長(zhǎng)。

　　e）擴(kuò)展性差，由于設(shè)備過多，各種儀器不同的編程協(xié)議，很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動(dòng)化測(cè)試整體方案中。

　　針對(duì)這些痛點(diǎn)同惠推出了針對(duì)半導(dǎo)體功率器件CV特性的解決方案。

　　TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀，TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀，標(biāo)配2通道，可擴(kuò)展至6通道，適合多個(gè)單管器件或模組器件測(cè)試，提供RS232C、USB、LAN接口，SCPI協(xié)議，支持HANDLER接口交互，可方便集成與自動(dòng)化產(chǎn)線或功率電子測(cè)試系統(tǒng)，如果您有更多疑問或需求可以關(guān)注西安安泰測(cè)試**哦！非常榮幸為您排憂解難。