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　　1.什么是寬禁帶半導體

　　第三代半導體（本文以SiC和GaN為主）又稱寬禁帶半導體，禁帶寬度在2.2eV以上，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，逐步受到重視。SiC與GaN相比較，前者相對GaN發展更早一些，技術成熟度也更高一些；兩者有一個很大的區別是熱導率x，這使得在高功率應用中，SiC占據統治地位；同時由于GaN具有更高的電子遷移率，因而能夠比SiC或Si具有更高的開關速度，在高頻率應用領域，GaN具備優勢。

　　2.寬禁帶半導體靜態測試

　　靜態測試

　　靜態：也叫穩態或者DC狀態，施加激勵（電壓/電流）到穩定狀態后再進行測試。

　　常作為器件的“體檢”！是特性測試中的基本測試；

　　特點：測試穩定，精度高，測試慢；

　　靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

　　設備：源和測量單元一體，也就是SMU設備；

　　吉時利2450

　　2450型是Keithley的新一代源測量單元(SMU)儀器，可輕松執行歐姆定律（電流、電壓和電阻）測試。其創新的圖形用戶界面(GUI)和先進的電容式觸摸屏技術讓使用變得非常直觀，并最大程度地減少學習曲線，從而使工程師和科學家能夠更快地學習、更智能地工作且更輕松地進行發明創造，如果您有更多疑問或需求可以關注西安安泰測試**哦！非常榮幸為您排憂解難。