泰克功率器件IGBT測(cè)試方案簡(jiǎn)介
IGBT簡(jiǎn)介：
IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是常見(jiàn)的功率，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。
IGBT測(cè)試難點(diǎn)：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。
3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。
4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。
6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。
測(cè)試方案：
靜態(tài)測(cè)試設(shè)備：2600-PCT。可選200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。
測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具
動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備：函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭
測(cè)試載：臺(tái)配套電源測(cè)試板
泰克優(yōu)勢(shì)：
1.全面的靜態(tài)動(dòng)態(tài)測(cè)試方案；
2.最高100A/3000V高壓高流高精度設(shè)備；四線法配置；可進(jìn)行脈沖測(cè)試；最小脈寬100US；從fF到uf電容測(cè)試能力；
3.高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類型；
4.支持大多數(shù)探頭類型，包括KHV三同軸，AHV三同軸，標(biāo)準(zhǔn)三同軸等；可適配絕大部分高功率探針臺(tái)；
5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。
測(cè)試項(xiàng)目舉例：
靜態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：
擊穿電壓；閾值電壓；開(kāi)態(tài)電流；漏電流；正向跨導(dǎo)；輸入電容；輸出電容；反向傳輸電容等；
動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：
開(kāi)通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間；關(guān)斷延遲時(shí)間；下降時(shí)間，單脈沖開(kāi)通能量；單脈沖關(guān)斷能量。
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