新型號(hào) 9812DX 作為 9812B 和 9812D 的增強(qiáng)版，為半導(dǎo)體行業(yè)先進(jìn)工藝研發(fā)、器件建模和高端電路設(shè)計(jì)提供了更加完整而又高效的低頻噪聲測(cè)試及分析解決方案，可以滿(mǎn)足各種不同工藝平臺(tái)下半導(dǎo)體器件和集成電路低頻噪聲測(cè)試的需求。

9812DX 作為單一完整的低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)，支持全面的半導(dǎo) 體器件種類(lèi)在多種測(cè)試條件下的高精度噪聲測(cè)試，提供了很高的晶圓級(jí)噪聲測(cè)試精度和測(cè)試帶寬，該型號(hào)的測(cè)試精度較之前的 9812D 提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，最低測(cè)試噪聲電流精度低至 10-27A2 /Hz，其測(cè)試能力覆蓋非常廣泛，是市面少有的從 10Ω 到 10MΩ 可同時(shí)覆蓋高阻抗器件和低阻抗器件測(cè)試能力的設(shè)備。

針對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程節(jié)點(diǎn)特別是 FinFET 工藝下對(duì)低頻噪聲測(cè)試需求“爆炸式”增長(zhǎng)的挑戰(zhàn)，通過(guò)軟硬件創(chuàng)新設(shè)計(jì)， 9812DX 不但使典型噪聲測(cè)試速度提高至一個(gè)偏置條件僅需 10s，還將最高測(cè)試電壓提高到 200V 從而使得適用應(yīng)用場(chǎng)景更 加廣泛。該系統(tǒng)可在短時(shí)間內(nèi)獲得更加精確可信的測(cè)試數(shù)據(jù)， 另外還可以通過(guò)并行測(cè)試架構(gòu)解決方案以及協(xié)同 FS-Pro 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等方式大幅度的提高了測(cè)試效率和吞吐量。

目前，9812DX 已被眾多半導(dǎo)體代工廠所采用，繼 9812B/D后成為低頻噪聲測(cè)試領(lǐng)域新一代的“黃金標(biāo)準(zhǔn)”，被用于 28nm, 14nm, 10nm, 7nm 和 5nm 等各工藝節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)工藝研發(fā)和高端集成電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用范圍：

已被眾多半導(dǎo)體公司所采用的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品歷史超過(guò)十年

功能：

1/f噪聲(閃爍噪聲)測(cè)試與特性分析、RTN(隨機(jī)電報(bào)噪聲)測(cè)試與特性分析

任意待測(cè)類(lèi)型，晶圓級(jí)高精度和測(cè)試帶寬

寬電壓、寬電流、寬阻抗測(cè)量范圍

系統(tǒng)架構(gòu):

系統(tǒng)體系架構(gòu)經(jīng)過(guò)行業(yè)認(rèn)可并不斷完善，可靠性好和精度高

支持并行測(cè)試：

經(jīng)過(guò)業(yè)界知名客戶(hù)嚴(yán)苛驗(yàn)證并認(rèn)可的在高精度下高測(cè)試吞吐率和并行測(cè)試能力

寬量程： 最大器件端電壓和電流 : 200V, 200mA

高精度： 最高 DC 電流精度 : 10pA、 系統(tǒng)噪聲電流精度 : <10-27A2 /Hz

測(cè)試速度：典型 1/f 噪聲測(cè)試速度可達(dá) 10 秒 /bias

抗阻范圍：阻抗匹配范圍 : 10?-10 M? Gate/Base

電阻多達(dá) 16 個(gè)選擇

Drain/Collector 電阻多達(dá) 15 個(gè)選擇

系統(tǒng)參數(shù)： 電壓放大器：0.03-10MHz, 0.65nV/Hz(@5kHz)

電流放大器：0.03-1MHz, 0.7pA/ Hz(@5kHz)

寬帶電流放大器：0.03-10MHz, 5pA/ √Hz (@5KHz)

高精度電流放大器：0.03-20KHz, 60fA/ √Hz (@5KHz)

可編程偏置濾波器 、ESD 保護(hù)

內(nèi)置 16 位 DSA

支持多臺(tái)并行測(cè)試

軟件規(guī)格：

9812DX 系列內(nèi)置 NoiseProPlus 測(cè)量軟件具有強(qiáng)大的低頻噪聲測(cè)試和分析功能，該軟件具有下列主要功能 :

• 軟件界面友好易操作，同時(shí)滿(mǎn)足測(cè)試控制、圖形顯示和數(shù)據(jù)分析需求

• 支持 1/f 噪聲和 RTN 噪聲測(cè)試 ，具有專(zhuān)業(yè)的數(shù)據(jù)分析功能

• 測(cè)試結(jié)果可導(dǎo)出供用戶(hù)后續(xù)分析研究，測(cè)試數(shù)據(jù)可直接導(dǎo)入

• 建模軟件 BSIMProPlus 和 MeQLab 進(jìn)行噪聲模型提取和特性分析

• 支持多種模式、多種器件在不同偏置下的手動(dòng)/自動(dòng)測(cè)試

• 支持驅(qū)動(dòng) Keysight/Keithley 等各型號(hào)主流測(cè)試儀

• 支持驅(qū)動(dòng) Cascade/SUSS/MPI 等各型號(hào) Prober 實(shí)現(xiàn)手動(dòng)及全自動(dòng)測(cè)試

產(chǎn)品應(yīng)用：

先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝如 FinFET/FD-SOI/GaN 等研發(fā)過(guò)程中的質(zhì)量和工藝評(píng)估

芯片制造過(guò)程中的特定工藝品質(zhì)監(jiān)控

半導(dǎo)體器件和電路的低頻噪聲特性測(cè)試、噪聲數(shù)據(jù)分析

半導(dǎo)體器件 SPICE 模型庫(kù)開(kāi)發(fā)

高端集成電路設(shè)計(jì)和驗(yàn)證